特許

J-GLOBAL ID：200903057704691863

シリカ粒子およびその製造方法

発明者： 西田 昌三 ,  徐 榮秀 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188166
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019423
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【目的】 超微細粒子径でかつ多孔質であるシリカ粒子およびその製造方法を提供する。【構成】 下記一般式(1)で表される構造からなり、さらに式(2)を満たす平均の粒径が5〜40nmのシリカ粒子。(R1)nSiO(4-n)/2 (1)(式中、R1は炭素数1〜8のアルキル基を、nは0〜2の数を示す。)(A-B)/A>0.1 (2)(ここで、Aは窒素吸着データをBET法で解析して求めた比表面積を、BはT-PLOT解析法により求めた直径2nm以上の空孔の比表面積をそれぞれ表す。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される構造からなり、さらに式(2)を満たす平均の粒径が5〜40nmのシリカ粒子。(R1)nSiO(4-n)/2 (1)(式中、R1は炭素数1〜8のアルキル基を、nは0〜2の数を示す。)(A-B)/A>0.1 (2)(ここで、Aは窒素吸着データをBET法で解析して求めた比表面積を、BはT-PLOT解析法により求めた直径2nm以上の空孔の比表面積をそれぞれ表す。)

IPC (2件)：

C01B 33/18 ,  C07F 7/08

FI (2件)：

C01B 33/18 Z ,  C07F 7/08 Y

Fターム (43件)：

4G072AA28 ,  4G072BB05 ,  4G072BB15 ,  4G072CC13 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072KK03 ,  4G072LL06 ,  4G072LL11 ,  4G072LL14 ,  4G072LL15 ,  4G072MM01 ,  4G072PP17 ,  4G072RR05 ,  4G072TT06 ,  4G072UU07 ,  4G072UU09 ,  4G072UU11 ,  4G072UU25 ,  4G072UU30 ,  4H049VN01 ,  4H049VP10 ,  4H049VQ21 ,  4H049VQ79 ,  4H049VR20 ,  4H049VR40 ,  4H049VS21 ,  4H049VT32 ,  4H049VT33 ,  4H049VT40 ,  4H049VT43 ,  4H049VT44 ,  4H049VT47 ,  4H049VT49 ,  4H049VT53 ,  4H049VU16 ,  4H049VU21 ,  4H049VU28 ,  4H049VW02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299684   出願人：触媒化成工業株式会社
• 中空粒子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-028195   出願人：ジェイエスアール株式会社