特許
J-GLOBAL ID：200903057724908591
絶縁ゲート型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188538
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055960
出願日： 1994年08月10日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 電流検出セル内蔵絶縁ゲート型半導体装置の、センス電圧の温度依存性を低減化する。【構成】 MOSFETやIGBTの電流検出セルと主電流側ユニットセルとの境界部分に位置するユニットセルのゲート電極66を分離し、このゲート電極66を主電流側ユニットセルのソース電極あるいはエミッタ電極と短絡あるいは独立電位を印加して構成する。実質的な主電流側セルと電流検出セルの距離が増大し、両者間の寄生コンダクタンスが低減化し、その結果センス電圧の温度依存性が低減する。
請求項（抜粋）：
第1および第2の主電極領域と、該第1および第2の主電極領域間を流れる電流を制御する絶縁ゲート電極とを少なく共有する複数個の主電流側ユニットセルおよび電流検出セルとを同一半導体基板上に形成した半導体装置において、該ゲート電極の一部を分離し独立ゲート電極とし、該独立ゲート電極が該主電流側ユニットセルの第1の主電極領域と短絡していることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/78
H01L 27/04 H
, H01L 29/78 301 E
