特許

J-GLOBAL ID：200903057728252658

薄膜トランジスタ,液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板およびその製造方法

発明者： 居波 隆志
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031003
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226365
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 現状のディメンション制御でオフ電流を低減可能な薄膜トランジスタ,この薄膜トランジスタを備える液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板およびその製造方法を実現すること。【構成】 薄膜トランジスタ2のソース領域7およびドレイン領域8は、表層にチャネル11を形成可能な真性の多結晶シリコン領域3に対して、それとゲート酸化膜4との境界面6からガラス基板1に向かって、多結晶シリコン領域3のデバイ長さLD 以上の約400Åの縦方向距離Lを介して隣接している。このような縦方向距離Lは、それらの表面側からのエッチング深さで制御される。

請求項（抜粋）：

基板の表面側に、表層にチャネルを形成可能な半導体領域と、この半導体領域の表面側にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極と、前記半導体領域と前記ゲート絶縁膜との境界面から前記基板側に向かって所定の縦方向距離を隔てて前記半導体領域に隣接するソース領域およびドレイン領域と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-046015   出願人：日本ビクター株式会社
• 特開平1-304251