特許
J-GLOBAL ID：200903057728894331
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-324218
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163127
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 バリアメタル膜表面などに残留したフッ素を充分にかつ短時間で除去する。【解決手段】 電極接続孔12以外の領域のタングステン膜15は、フッ素原子を含む反応ガスによってドライエッチングされ除去される。このフッ素原子を含む反応ガスによるドライエッチングの終了時に、露出した窒化チタン膜の表面や電極接続孔12のタングステン膜15の表面にはフッ素が残留する。水蒸気のような水素を含むガスの雰囲気内で半導体基板10を約50°C以上に加熱する。これによって、半導体基板10に残留していたフッ素は水素に結合してHFになって半導体基板から放出される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の層間絶縁膜に電極用の接続孔を穿孔する工程と、上記電極用の接続孔と上記層間絶縁膜との上にバリヤメタル膜を形成する工程と、上記電極用の接続孔を埋めるように上記電極用の接続孔及び上記バリヤメタル膜の上に金属膜を形成する工程と、少なくともフッ素原子を含む反応ガスを用いたドライエッチングによって上記電極用の接続孔以外の領域の上記金属膜を除去する工程とを具備する半導体装置の製造方法において、上記ドライエッチング工程の後に、水素原子を含むガスの雰囲気において上記半導体基板を加熱処理して、上記バリアメタル膜及び上記金属膜の表面の残留フッ素を除去する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3065
, H01L 21/3213
H01L 21/28 301 R
, H01L 21/302 N
, H01L 21/88 D
