特許
J-GLOBAL ID：200903057730038884
量子半導体装置および量子半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066899
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266004
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 量子ドットを含み、1.3μm帯で鋭いエネルギスペクトルを示す量子半導体装置を提供することにある。【解決手段】 基板上に、基板に対して歪み系を形成するNを含むヘテロエピタキシャル構造を、中間層を挟みながら交互に繰り返し堆積し、垂直方向に整列した一連のInNAs系量子ドットを形成し、その際、量子ドット中のNの量を、量子ドットが1.3μm帯のエネルギスペクトルを有するように設定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、量子構造を含む活性層とよりなる量子半導体装置において、前記量子構造は:第1の格子定数を有する第1の半導体結晶よりなり、互いに繰り返し積層された複数の中間層と;各々の中間層中に形成され、前記第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を有し、前記第1の半導体結晶に対して歪み系を形成する第2の半導体結晶よりなり、各々前記中間層の厚さに実質的に等しい高さを有する複数の量子ドットとを含み、前記複数の中間層の各々において、各々の量子ドットは、隣接する中間層中の対応する量子ドットと、前記半導体基板の主面に垂直な方向に、実質的に整列し、前記複数の中間層の各々はキャリアのBohr半径以下の厚さに厚さを設定されており、前記第2の半導体結晶はNを含むことを特徴とする量子半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/06
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 29/06
, H01L 33/00 A
, H01S 3/18
