特許
J-GLOBAL ID：200903057807019446

有機半導体素子の製造方法及び有機半導体素子

発明者：
南方 尚

南方 尚 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について


代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-325532
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158805
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】低抵抗の電極を簡便に形成可能な有機半導体素子の製造方法及び低抵抗の電極を有する有機半導体素子を提供する。【解決手段】まず、基板1上のゲート電極3Aを形成する部分に、印刷法を用いて触媒2でゲート電極パターンを形成した後、この触媒2の作用により無電解メッキが生じるメッキ剤を基板1上のゲート電極パターンに接触させてゲート電極3Aを形成する。そして、このゲート電極3Aの上面に形成した絶縁層4上のソース/ドレイン電極3Bを形成する部分に、同様の触媒2でソース/ドレイン電極パターンを形成した後、同様のメッキ剤を絶縁層4上のソース/ドレイン電極パターンに接触させてソース/ドレイン電極3Bを形成する。その後、このソース/ドレイン電極3B上に、有機半導体層5を形成することで、有機半導体素子を完成させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板、有機半導体層、絶縁層、及び電極を備える有機半導体素子を製造するに際して、 前記基板、前記有機半導体層、及び前記絶縁層の少なくとも一つにおける前記電極を設ける部分に、メッキ剤に作用して無電解メッキを生じさせる触媒を印刷法によって配した後に、前記メッキ剤を前記部分に配して、前記部分に無電解メッキを施し前記電極を設けることを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/288 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (9件)：
H01L21/288 E ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28
Fターム (32件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC05 ,  4M104DD21 ,  4M104DD46 ,  4M104DD53 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE41 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK31
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM