特許
J-GLOBAL ID：200903057823621768
結晶化方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-194023
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102543
出願日： 1995年07月07日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 結晶粒度と結晶粒界の位置を調節できる結晶化方法を提供すること。【構成】 本発明の結晶化方法は、半導体基板上に多結晶シリコン膜を蒸着する工程と、多結晶シリコン膜を第1領域と第2領域に分ける工程と、多結晶シリコン膜の第1領域と第2領域に互いに異なる量のシリコンイオンを注入して、第2領域に所定の面方向を有する結晶を残し第1領域は非晶質化する工程と、熱処理工程により第1領域に残っている結晶を核にして、非晶質化された第2領域を再結晶化させる工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に多結晶シリコン膜を蒸着する工程と、多結晶シリコン膜を第1領域と第2領域に分ける工程と、多結晶シリコン膜の第1領域と第2領域に互いに異なる量のシリコンイオンを注入して、第2領域に所定の面方向を有する結晶を残し第1領域を非晶質化する工程と、熱処理工程により第1領域に残っている結晶を核にして、非晶質化された第2領域を再結晶化させる工程と、を含むことを特徴とする結晶化方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
