特許

J-GLOBAL ID：200903057834504038

半導体レーザ

発明者： 長野 克人 ,  吉田 篤至
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071557
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275803
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、レーザ光発光の際の省電力化を図れるとともに、放熱特性も良好な半導体レーザを提供する。【構成】 本発明は、p型GaAs基板10上に、p-Cdx Zn1-x SからなるII-VI族混晶の第1のクラッド層11,活性層12,II-VI族混晶の第2のクラッド層13,コンタクト層14及び電極層15をエピタキシーした半導体レーザ1において、p型GaAs基板10と第1のクラッド層11との間に、これら両者のバンドギャップの間の値のバンドギャップを有し、熱伝導率がこれら両者よりも大きい混晶層2を設けた。この構成により、p型GaAs基板10と第1のクラッド層11とのヘトロ障壁が段階的となり、活性層へ注入される電流が増大してレーザ光発光の際の立上がりの閾値電流を小さなり、かつ、p型GaAs基板10と第1のクラッド層11との間の放熱特性も良好となる。

請求項（抜粋）：

p型GaAs基板上に、p-Cdx Zn1-x SからなるII-VI族混晶の第1のクラッド層,活性層,II-VI族混晶の第2のクラッド層,コンタクト層及び電極層をエピタキシーした半導体レーザにおいて、前記p型GaAs基板と第1のクラッド層との間に、これら両者のバンドギャップの間の値のバンドギャップを有し、熱伝導率がこれら両者よりも大きい混晶層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016258   出願人：株式会社東芝
• 特開昭62-200784