特許
J-GLOBAL ID：200903057850881615

オンチップレンズの製造方法

発明者：
門村 新吾

門村 新吾 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-158845
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008266
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 CCD撮像素子の感度向上のためのオンチップレンズ14の形状に優れた製造方法を提供する。【構成】 オンチップレンズ材料層である有機高分子材料層12を、リフローレジストパターン13aとともにエッチバックする際に、O2 /Cl2 混合ガスを用いてプラズマエッチングする。【効果】 CClx の堆積を利用しつつエッチバックするので、入射イオンのスパッタリングイールドの入射角度依存性が低減し、オンチップレンズ14の異常形状化が防止される。
請求項（抜粋）：
有機高分子材料層上にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをリフローしてリフローレジストパターンを形成する工程、前記リフローレジストパターンと前記有機高分子材料層をともにエッチバックして、前記リフローレジストパターンを除去するとともに前記リフローレジストパターンの表面形状を前記有機高分子層に転写する工程を有するオンチップレズの形成方法において、前記エッチバック工程は、酸素系化学種を発生しうるガスと、フッ素系化学種以外のハロゲン系化学種を発生しうるガスを含む混合ガスを用いてプラズマエッチングする工程であることを特徴とする、オンチップレンズの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/14 ,  G02B 3/00 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 31/0232
FI (4件)：
H01L 27/14 D ,  G02B 3/00 A ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 31/02 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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