特許
J-GLOBAL ID:200903057864132240
静電駆動型MEMS素子とその製造方法、光学MEMS素子、光変調素子、GLVデバイス、及びレーザディスプレイ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
角田 芳末 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-394880
公開番号(公開出願番号):特開2003-200394
出願日: 2001年12月26日
公開日(公表日): 2003年07月15日
要約:
【要約】【課題】 静電駆動型MEMS素子の駆動側電極表面の平坦化を図る。【解決手段】 基板側電極33と、基板側電極33に対向して配置され、該基板側電極33との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する駆動側電極38を有してなるビーム35とを備え、基板側電極33が、半導体基板32内の不純物導入された導電性半導体領域で形成されて成る。
請求項(抜粋):
基板側電極と、前記基板側電極に対向して配置され、該基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する駆動側電極を有してなるビームとを備え、前記基板側電極が、半導体基板内の不純物導入された導電性半導体領域で形成されて成ることを特徴とする静電駆動型MEMS素子。
IPC (4件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, G02B 5/18
, G02B 26/02
FI (4件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, G02B 5/18
, G02B 26/02 E
Fターム (11件):
2H041AA05
, 2H041AA07
, 2H041AA14
, 2H041AB14
, 2H041AC06
, 2H041AZ02
, 2H041AZ03
, 2H041AZ08
, 2H049AA50
, 2H049AA60
, 2H049AA65
引用特許:
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