特許
J-GLOBAL ID：200903057872739340
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-201880
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064789
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 チャージポンプの負荷を安定させることによって、不揮発性半導体記憶装置の書込あるいは消去特性を向上させる。【構成】 この発明に従う不揮発性半導体記憶装置は、チャージポンプ19を有するものであることを前提とする。不揮発性半導体記憶装置は、情報を記憶するためのメモリトランジスタが複数個形成されたメモリセルアレイ部15を備える。各メモリトランジスタのドレイン領域は所定のビット線BLに接続され、このビット線BLは書込回路4に接続される。書込回路4にはチャージポンプ(CP)19が接続される。書込時には、このチャージポンプ19によって、書込回路4を通して所定の電位がメモリトランジスタに印加される。そして、メモリトランジスタあるいはこのメモリトランジスタが形成されるウェル領域には、チャージポンプ19の負荷の変動を抑制するためのチャージポンプ負荷制御手段20が接続される。
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成されたウェル領域と、前記ウェル領域上に形成され、情報を記憶するためのメモリトランジスタと、前記メモリトランジスタに接続され、情報の書込/消去を行なう際に前記メモリトランジスタに印加する所定の電圧を発生させるためのチャージポンプと、前記メモリトランジスタあるいは前記ウェル領域に接続され、前記チャージポンプの負荷の変動を抑制するためのチャージポンプ負荷制御手段と、を備えた、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 27/115
, G11C 16/06
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 309 D
, G11C 17/00 510 A
, H01L 29/78 371
