特許

J-GLOBAL ID：200903057918312541

機能線、それを用いたトランジスタアレイ、アクティブマトリクス基板、表示装置、半導体装置並びにトランジスタアレイおよびアクティブマトリクス基板の製造方法

発明者： 錦 博彦 ,  酒井 道 ,  波多野 晃継
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-372902
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174171
出願日： 2001年12月06日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 プラスチックなどの基板上に複数のトランジスタがアライメントずれを起こすことなく配置されたアクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】 アクティブマトリクス基板30は、少なくとも表面が導電性を有する中心線36と、前記中心線の表面を被覆する絶縁層37と、前記絶縁層を被覆する半導体層38とを有する複数の機能線31と、前記複数の機能線の相互の配置を固定する固定構造と、前記複数の機能線のそれぞれの半導体層と重畳している部分と重畳していな部分とを有する第1および第2の導電層43、42とを有しており、前記第1および第2の導電層によって画定された領域44をチャネルとして前記それぞれの半導体層中に含む複数のトランジスタ32と、前記第1の導電層43とそれぞれ電気的に接続された複数の画素電極33とを含む。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が導電性を有する中心線と、前記中心線の表面を被覆する第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層を被覆する半導体層と、前記半導体層を被覆する第2の絶縁層とを有する機能線。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H05B 33/14

FI (8件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 613 A

Fターム (96件)：

2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB11 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB56 ,  2H092MA01 ,  2H092MA02 ,  2H092MA03 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA24 ,  2H092MA35 ,  2H092NA25 ,  2H092NA26 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092PA02 ,  2H092PA06 ,  3K007BA07 ,  3K007CA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094EB02 ,  5C094EB10 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094JA08 ,  5C094JA20 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP27 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-075620   出願人：株式会社東芝
• アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-211072   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭62-165368
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232537   出願人：株式会社東芝
• 液晶パネル用基板及び液晶パネル並びにそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-193198   出願人：セイコーエプソン株式会社