特許
J-GLOBAL ID:200903057937728058

フォトマスク及びその設計方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-292822
公開番号(公開出願番号):特開平11-125894
出願日: 1997年10月24日
公開日(公表日): 1999年05月11日
要約:
【要約】【課題】セリフのような微細パターンを用いずに簡便な方法でホールパターンのニアリティを改善し、異なる寸法のホールパターンを高精度に形成する。【解決手段】透明領域と遮光領域及び半透明領域を有し、透明領域と半透明領域の透過光に逆位相を生じさせるフォトマスクであって、一部の透明領域のマスクパターンの寸法を所定の寸法より大きくリサイズし、このように寸法を大きくした透明領域のマスクパターンの周辺に一定の幅の半透明領域を配置し更にこの半透明領域の周辺に遮光領域を形成し、この所定の寸法より大きくリサイズした透明領域の露光転写パターンである結像面上の感光性樹脂パターンが所望の寸法になるように上記の半透明領域の幅寸法を調整する。
請求項(抜粋):
透明領域と遮光領域及び半透明領域を有し、前記透明領域と前記半透明領域の透過光に逆位相を生じさせるフォトマスクにおいて、一部の透明領域のマスクパターン寸法を所定の寸法より大きくし、前記寸法を大きくした透明領域のマスクパターンの周辺に一定の幅の前記半透明領域を配置し更に前記半透明領域の周辺に遮光領域を形成し、前記マスクパターン寸法を所定の寸法より大きくした前記透明領域の露光転写パターンが所望の寸法になるように、前記半透明領域の前記幅の寸法を設定していることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許:
審査官引用 (1件)

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