特許
J-GLOBAL ID：200903009645881829
ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横川 邦明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-160101
公開番号（公開出願番号）：特開平8-334886
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】 ハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、大面積の光透過パターンに対応する転写像にゴースト等が発生することを防止し、さらに光透過パターンを取り囲む非パターン部の面積が大きくなる場合にも転写像が不鮮明になるのを防止する。【構成】 微細な光透過パターンP1及び大面積の光透過パターンP2は透明基板1のみで形成され、それらのパターンP1,P2の周りのパターン周辺部Hは主にMo・Si系材料の半透明位相シフト膜2aによって形成され、そしてパターン周辺部Hの周りの遮光部Sは主にCr等から成る遮光膜によって形成される。パターンP1,P2の周りの半透明位相シフト材料の領域はパターン周辺部Hの範囲に限定され、それ以外の周辺部には遮光膜が設けられる。
請求項（抜粋）：
透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、露光光を透過させるための光透過パターンと、その光透過パターン部の周りに所定幅で形成されたパターン周辺部と、そのパターン周辺部を包囲する遮光部とを有しており、そのパターン周辺部は半透明位相シフト膜によって区画形成され、上記遮光部は遮光膜によって区画形成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
