特許
J-GLOBAL ID：200903057944964891
化合物半導体エピタキシャルウェハ及びこれを用いたヘテロバイポーラトランジスタ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121980
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315692
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】HBT及びエピタキシャルウェハにおいて、GaAs基板に起因した欠陥をエピタキシャル層中に伝搬しないようにする。【解決手段】GaAs基板1とサブコレクタ層2との間に、AlGaAsとGaAsを複数周期積層した多層構造のバッファ層10、もしくはAlx Ga1-x AsとAly Ga1-y Asを複数周期積層した多層構造のバッファ層20、もしくはInGaAsとGaAsを複数周期積層した多層構造のバッファ層30を設ける。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、少なくともGaAsサブコレクタ層と、GaAsコレクタ層と、GaAsベース層と、AlGaAsエミッタ層もしくはInGaPエミッタ層とを積層した化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記サブコレクタ層と前記基板との間に、AlGaAsとGaAsを複数周期積層した多層構造のバッファ層もしくは組成の異なるAlGaAsとAlGaAsを複数周期積層した多層構造のバッファ層を設けたことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
5F003AP00
, 5F003BC02
, 5F003BC90
, 5F003BF06
, 5F003BG03
, 5F003BM03
, 5F003BP32
