特許

J-GLOBAL ID：200903093137719901

化合物半導体エピタキシャルウェハ

発明者： 池田 正清
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218831
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083905
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 用いる基板の成長方法やそのロットなどに影響されず、常に安定して十分大きい2次元電子ガスの移動度が確保できる高電子移動度トランジスタ用の化合物半導体エピタキシャルウェハを提供することを目的とする。【構成】 半絶縁性GaAs基板17上に、バッファ層16、プレーナードープ層13を用いた高電子移動度トランジスタ用積層構造を有するエピタキシャル層12〜15を順次積層した化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記バッファ層16は1層以上のIn<SB>x </SB>(Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>)<SB>1-x </SB>As層(但し、0<x<1、0<y<1)を含む。

請求項（抜粋）：

半絶縁性GaAs基板上に、バッファ層、プレーナードープを用いた高電子移動度トランジスタ用積層構造を有するエピタキシャル層を順次形成した化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記バッファ層は1層以上のIn<SB>x </SB>(Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>)<SB>1-x </SB>As層(但し、0<x<1、0<y<1)を含むことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-003937
  
• 高電子移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-351594   出願人：古河電気工業株式会社