特許
J-GLOBAL ID：200903057966393189
光磁気メモリー素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234486
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084212
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【構成】 室温で面内磁化膜であり室温以上の所定温度領域で垂直磁化膜になる磁性層23と、キュリー温度が室温以上である磁性層24と、室温からキュリー温度まで垂直磁化膜である磁性層25が基板21上に順次積層されており、磁性層24のキュリー温度は、磁性層25のキュリー温度よりも低い温度に設定されている光磁気メモリー素子。【効果】 磁性層25に高密度記録された情報、すなわち、再生時の光スポットよりも小さい部分に書かれた情報を読み出し層の初期化のための補助磁界発生装置なしに再生でき、しかも、小さい外部磁界で磁性層25に情報を記録できる。これにより、記録再生装置の省電力化を図れる。
請求項（抜粋）：
室温で面内磁化膜であり室温以上の所定温度領域で垂直磁化膜になる第1磁性層と、キュリー温度が室温以上である第2磁性層と、室温からキュリー温度まで垂直磁化膜である第3磁性層が基体上に順次積層されており、第2磁性層のキュリー温度は、第3磁性層のキュリー温度よりも低い温度に設定されていることを特徴とする光磁気メモリー素子。
引用特許：
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