特許
J-GLOBAL ID：200903057979971637
窓層を備えたAlGaInP発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166352
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353820
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：
【要約】【課題】高輝度のAlGaInP発光素子を獲得するために必要な透明導電性窓層の構成要件と積層構成を提供する。【解決手段】n形クラッド層を、キャリア濃度を相違する高低両キャリア濃度のn形AlGaInP層から構成し、高キャリア濃度層側に、c軸方向に配向したIII族元素をドープしたn形酸化亜鉛からなる透明導電性窓層を有する構成とする。
請求項（抜粋）：
GaAs単結晶基板上に、それぞれ(Al<SB>α</SB>Ga<SB>1-</SB><SB>α</SB>)<SB>X</SB>In<SB>1-X</SB>P(0≦α≦1、0<X<1)からなるp形クラッド層、発光層、及びn形クラッド層を有し、さらにその上に多結晶体の酸化亜鉛からなる窓層を有することを特徴とする発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01S 5/183
, H01S 5/323
H01L 33/00 B
, H01S 5/183
, H01S 5/323
5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA41
, 5F041CA64
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA98
, 5F041CB36
, 5F073AB17
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073EA24
