特許

J-GLOBAL ID：200903057985150815

半導体装置

発明者： 森口 浩志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-208817
公開番号（公開出願番号）：特開2008-035405
出願日： 2006年07月31日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】 外部装置と電磁結合を形成することで電力が供給されると共に、前記外部装置との間で情報の授受が可能であり、簡易な回路構成によって外部装置からの過剰電力の供給に起因した装置内部の温度上昇を抑制可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置(ICカード)3は、周囲温度の変化に応じてキャパシタンス値を変化させる特性を有する容量性素子13と、受電用アンテナコイル11とで共振回路を構成する。容量性素子13は、発熱が比較的大きい定電圧回路14の近傍に設置される。外部装置(リーダライタ)2が備える送電用アンテナコイル6と受電用アンテナコイル11との間で生じる電磁結合により供給される電力が過剰になると、特に定電圧回路14内における発熱に起因して内部温度が上昇し、これによって容量性素子13のキャパシタンス値が変化して、共振回路の共振周波数が変化する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

外部装置と電磁結合を形成することで電力が供給されると共に、前記外部装置との間で情報の授受が可能な半導体装置であって、 前記外部装置が有する送電用アンテナコイルと前記電磁結合を形成するための受電用アンテナコイル、及び少なくとも容量性素子を含むインピーダンス制御部によって構成される共振回路を有し、 前記インピーダンス制御部が、周囲温度の変化に応じてインピーダンス値が変化する温度依存性インピーダンス素子を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H04B 5/02 ,  G06K 19/07 ,  H02J 17/00

FI (5件)：

H04B5/02 ,  G06K19/00 H ,  H02J17/00 A ,  H02J17/00 B ,  H02J17/00 X

Fターム (7件)：

5B035AA11 ,  5B035BB09 ,  5B035CA23 ,  5B035CA35 ,  5K012AA01 ,  5K012AC06 ,  5K012AE13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 非接触式ICカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-173565   出願人：株式会社東芝