特許

J-GLOBAL ID：200903057989273733

酸化物超電導体の結晶育成方法

発明者： 石川 雄一 ,  竹内 桂三 ,  長屋 重夫 ,  平野 直樹
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社 ,  中部電力株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-208715
公開番号（公開出願番号）：特開平7-041381
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月10日
要約：

【要約】【目的】 磁気軸受けや強磁場シールド体用に用いることのできるピンニングサイトのある123相酸化物超電導体の大型結晶の育成方法を提供すること。【構成】 まず、所望組成の123層結晶に比較的寸法の小さい種結晶1をつくり、次に同じ組成で上記種結晶よりも大きい寸法の成形体(結晶の前駆体2)をつくり、半溶融状態にした後、種結晶1と前駆体2とを例えば図1に見るように接触させる。これを、0.5〜2°C/hrの割合で、結晶を成長させながら徐冷すると、前駆体2は種結晶1と同一の結晶配向を有する結晶体となる。こうして得た結晶体の一部を切り取って種結晶として用い前駆体の寸法も前より大きくして接触させて同じことを順次繰り返すことにより、大型の結晶を得ることができる。

請求項（抜粋）：

一般式RE1 RA2 Cu3 Ox (REは希土類元素からなる群より選ばれる1種または2種以上の元素の混合物であり、RAはアルカリ土類元素からなる群より選ばれる1種または2種以上の元素の混合物である)で表わされる組成を有し、かつ123相結晶構造を有する結晶の育成方法であって、予め上記一般式の組成を有する種結晶を作製し、次いで同じ組成で該種結晶より寸法の大きい123相結晶の成形体を1050〜1200°Cに保持して半溶融状態にした後、前記種結晶を接触させて123相結晶を成長させながら、0.5〜2°C/hrの割合で徐冷することによって種結晶と同一の結晶配向を有する結晶体を得、次に、得られた結晶体の一部を種結晶として用いることにより上記工程を繰り返して最初の種結晶より寸法の大きい第2の種結晶を作製し、さらに順次上記と同じことを繰り返して次第に大型の結晶体となすことを特徴とする酸化物超電導体の結晶育成方法。

IPC (6件)：

C30B 11/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 11/14 ,  H01B 13/00 565 ,  H01B 12/00 ZAA

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸化物バルク超電導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-354469   出願人：新日本製鐵株式会社