特許
J-GLOBAL ID：200903057991893129

半導体ウエハの研磨終点検出方法及びその装置

発明者：
山本 俊郎

山本 俊郎 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-254770
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077068
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 研磨材における散乱、入射する赤外光の光量及び照射面積の変化等の影響を受けることなく、高精度に研磨終点を検出することができる半導体ウエハの研磨終点検出方法及び半導体ウエハ研磨検出装置を提供する。【解決手段】 赤外光照射源7から照射された赤外光を分光器8により分光し、ウエハ支持台2の透過窓2aを透過させて半導体ウエハ1に入射させる。半導体ウエハ1を透過し、反射板4で反射して再度半導体ウエハ1を透過し、ハーフミラー10で反射した各波長成分の光の強度を、赤外線検出器11により検出し、計測装置12がこれに基づき吸光度を求め、一の波長成分の吸光度を他の波長成分の吸光度で正規化し、これを指標として研磨の終点を検出する。
請求項（抜粋）：
基板に薄膜が形成された半導体ウエハの前記薄膜を研磨し、該薄膜の膜厚を指標として、研磨終点を検出する半導体ウエハの研磨終点検出方法において、光を前記半導体ウエハに入射して透過させ、前記薄膜に選択的に吸収される一の波長成分の吸光度、及び前記基板に選択的に吸収される他の波長成分の吸光度を求め、前記一の波長成分の吸光度を前記他の波長成分の吸光度で正規化し、これを前記指標とすることを特徴とする半導体ウエハの研磨終点検出方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04
FI (2件)：
H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/04 K
Fターム (8件)：
3C058AA07 ,  3C058AC01 ,  3C058BA09 ,  3C058BB01 ,  3C058BC03 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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