特許
J-GLOBAL ID：200903058013850350

半導体装置とその製造方法

発明者：
久保 博稔

久保 博稔 について

, 
重田 典博

重田 典博 について

, 
桑子 栄一郎

桑子 栄一郎 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298638
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119023
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ表面に露出する結晶面を選択することにより、チャネル領域部分の酸化膜の膜厚t1よりもドレイン部分の酸化膜の膜厚t2を厚くした半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】 面方位(111)の半導体ウェハを準備する。その表面にトレンチ26を形成する。該トレンチ26で区画した半導体層(チャネル領域22)は6角形の単位セルパターンを構成する。該単位セルを多数並列接続してMOSFET素子を構成する。側面の半導体層表面27は(110)面が露出し、底面の半導体層表面28には(111)面が露出する。両シリコン表面27、28を高温熱処理することによってゲート酸化膜29を形成する。結晶面によって成長レートが異なるので、膜厚t1よりも膜厚t2を厚く形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体層に、側面と底面とを有するトレンチを形成し、前記側面の半導体層表面と前記底面の半導体層表面に絶縁膜を形成した半導体装置であって、前記側面の半導体層表面の絶縁膜の成長レートに対して、前記底面の半導体層の絶縁膜の成長レートが大であるように、両者の結晶面が選択されていることを特徴とする半導体装置。
FI (4件)：
H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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