特許
J-GLOBAL ID:200903058024313674

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-145824
公開番号(公開出願番号):特開平11-340518
出願日: 1998年05月27日
公開日(公表日): 1999年12月10日
要約:
【要約】【課題】 耐熱性が高く、実装工程においても安定して半田付けを行うことができる窒化ガリウム系半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 リードフレームの材料として、従来用いられていた銅系の材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。このような材料としては、例えば、鉄系の材料を挙げることができる。このようにすることにより実装半田付けの際の封止体の加熱を抑制し、ワイアの断線などの不具合を防止することができる。さらに、本発明においては、第1の封止体と第2の封止体との界面の位置を調節することにより、ワイアの断線を顕著に低減することができる。
請求項(抜粋):
リードフレームと、前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記発光素子を覆うように設けられた封止体と、を備え、前記リードフレームは、100W/(m・K)以下の熱伝導率を有する材料により構成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  H01L 23/48
FI (2件):
H01L 33/00 N ,  H01L 23/48 Y
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る