特許

J-GLOBAL ID：200903058047094520

バイアス回路及び半導体記憶装置

発明者： 上久保 雅規
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341617
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173285
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 所定電位への電圧の立上げの高速化及び所定電位での安定性向上を図ることができるバイアス回路及び半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本実施の形態に係るバイアス回路400はバイアス出力回路41、バイアス電位検出回路43、及びバイアス出力回路41の駆動回路としてバイアス安定化回路44及びバイアス立上げ回路45を有してなり、バイアス安定化回路44及びバイアス立上げ回路45の2つをバイアス電位VDIGの値によって切り替えるようにしたためバイアス立ち上げの初期及び定常状態において最適な性能を有する。また、定常状態では外乱の影響が少なく安定したバイアス電位VDIGを被バイアス回路42に供給することができるため電流検出回路46は安定した状態で被バイアス回路42の電流を検出することができる。以上により上記目的を達成することができる。

請求項（抜粋）：

所定電位を被バイアス回路に出力して被バイアス回路に流れる電流を検出するバイアス回路において、特性の異なる1対のトランジスタを有し、前記1対のトランジスタを被バイアス回路の電圧変化に応じて切り替えて作動させる帰還回路を有してなることを特徴とするバイアス回路。

FI (2件)：

G11C 17/00 634 C ,  G11C 17/00 634 B

Fターム (8件)：

5B025AA01 ,  5B025AA07 ,  5B025AC01 ,  5B025AD05 ,  5B025AD09 ,  5B025AD11 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312415   出願人：日本電気株式会社