空冷式の処理装置および該装置を利用して連続して被処理体を処理する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115865
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302765
出願日： 1994年05月02日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】窒化膜等を形成し、成膜後にその被処理体を搬出し、反応室をエッチングし、次のウエハを反応室から搬入するという工程を連続して行っても、成膜の厚さが一様となるプラズマCVD装置を提供する。【構成】反応室4の上壁はシャワーヘッド18から構成され、そこから反応ガスが被処理体に流れる。前記シャワーヘッドの上面に接触するようにヒートシンク30が設置され、ヒートシンク30には半径方向に伸びるフィン31が設けられている。前記ヒートシンクの周囲を囲む円形カバー32上を覆うキャップカバー34上に冷却ファン40が設けられている。ヒートシンク30に熱電対が取り付けられ、シャワーヘッドの温度がモニターされ、所定の温度以上にシャワーヘッドの温度が上昇したときに冷却ファンが起動し、シャワーヘッドの温度が制御される。

請求項（抜粋）：

処理チャンバーの処理室の下壁を構成するサセプタ上に被処理体が載置され、その被処理体上方に位置し前記処理室の上壁を構成するシャワーヘッドから処理ガスが被処理体に流れ、被処理体上が処理される処理装置において、前記シャワーヘッドを冷却のための空気流を形成するための手段を有することを特徴とする処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-245520
特開平4-058530
CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-145335 出願人：株式会社日立製作所

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