特許

J-GLOBAL ID：200903058074484348

表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器

発明者： 小林 聡 ,  宮口 厚 ,  守屋 芳隆 ,  黒川 義元 ,  河江 大輔
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-199142
公開番号（公開出願番号）：特開2009-060095
出願日： 2008年08月01日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】電気特性が高く、オフ電流の低減を図ることができる薄膜トランジスタを具備する表示装置を提案することを課題とする。【解決手段】基板と、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に接して設けられたチャネル保護層と、ゲート絶縁膜上であり、且つ微結晶半導体膜及びチャネル保護層の側面に設けられた非晶質半導体膜と、非晶質半導体膜上に設けられた不純物半導体層と、不純物半導体層上に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、非晶質半導体膜の膜厚は、微結晶半導体膜の膜厚より大きい薄膜トランジスタを有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を介して設けられた微結晶半導体膜と、 前記微結晶半導体膜上において、前記微結晶半導体膜と接して設けられたチャネル保護層と、 前記ゲート絶縁膜上であり、且つ前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層の側面に設けられた非晶質半導体膜と、 前記非晶質半導体膜上に設けられた不純物半導体層と、 前記不純物半導体層上に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、 前記非晶質半導体膜の膜厚は、前記微結晶半導体膜の膜厚より大きい薄膜トランジスタを有することを特徴とする表示装置。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 619A

Fターム (51件)：

5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-242724号公報
  
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182073   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 米国特許第5591987号