特許
J-GLOBAL ID：200903046945275699

液晶表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182073
公開番号（公開出願番号）：特開2005-049832
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 TFTの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。【解決手段】 画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するTFTと、液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第1の半導体膜と、第1の半導体膜上に形成された一対の第2の半導体膜とを有し、一対の第2の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第1の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
画素部と、前記画素部の動作を制御するための駆動回路とを有し、 前記画素部には、液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとを有する画素が設けられており、 前記駆動回路が有するTFTと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとは、チャネル形成領域にセミアモルファス半導体が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786
FI (3件)：
G02F1/1368 ,  G02F1/133 550 ,  H01L29/78 612B
Fターム (92件)：
2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JB11 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB57 ,  2H092MA05 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA02 ,  2H092PA03 ,  2H092PA05 ,  2H092PA06 ,  2H092PA11 ,  2H092RA10 ,  2H093NA16 ,  2H093NC22 ,  2H093NC24 ,  2H093NC26 ,  2H093NC34 ,  2H093NC36 ,  2H093ND54 ,  2H093ND60 ,  2H093NE01 ,  2H093NE02 ,  2H093NE03 ,  2H093NE04 ,  2H093NG01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD11 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE34 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (10件)
  • 特開平4-177736
  • 特開平4-242725
  • 半導体装置およびその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-282560   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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審査官引用 (24件)
  • 特開平4-177736
  • 特開平4-177736
  • 特開平4-242725
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