特許

J-GLOBAL ID：200903058135327518

受光装置とその製造方法

発明者： 小澤 隆弘 ,  大澤 潤
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  学校法人トヨタ学園
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-196486
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028002
出願日： 2006年07月19日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】 少なくとも2種類の波長域の光を電流に変換する受光装置を提供すること。【解決手段】 受光装置10は、第1電極32と、第2電極34と、第1電極32と第2電極34の間に設けられている受光領域20を備えている。受光領域20は、バンドギャップの幅が異なる第1部分受光領域26と第2部分受光領域28を有する。受光装置10では、紫外光が第1部分受光領域26で吸収されることによって第1電極32と第2電極間34を流れる正の電流に変換され、青色光が第2部分受光領域28で吸収されることによって第1電極32と第2電極24間を流れる負の電流に変換される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも2種類の波長域の光を電流に変換する受光装置であって、 第1電極と、 第2電極と、 第1電極と第2電極の間に設けられており、バンドギャップの幅が異なる第1部分受光領域と第2部分受光領域を有する半導体の受光領域を備えており、 一方の波長域の光は一方の部分受光領域で吸収されることによって第1電極と第2電極間を流れる正の電流に変換され、他方の波長域の光は他方の部分受光領域で吸収されることによって第1電極と第2電極間を流れる負の電流に変換されることを特徴とする受光装置。

IPC (1件)：

H01L 31/108

FI (1件)：

H01L31/10 C

Fターム (8件)：

5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049WA03 ,  5F049WA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体受光素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-123752   出願人：日亜化学工業株式会社