窒化物半導体受光素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123752
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318434
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】高い感度を有する窒化物半導体受光素子を提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を順に積層した受光素子であり、n型窒化物半導体層からp型窒化物半導体層に向かう積層方向を[000-1]方向に一致させた。

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を順に積層した受光素子であって、上記n型窒化物半導体層から上記p型窒化物半導体層に向かう積層方向が[000-1]方向に一致することを特徴とする窒化物半導体受光素子。

Fターム (8件)：

5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049PA03 , 5F049PA11 , 5F049PA15 , 5F049PA18 , 5F049PA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

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