半導体装置用配線及びその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284902
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120220
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】ストレスマイグレーションを効果的に抑制し得る半導体装置用配線及びその形成方法を提供する。【構成】半導体装置用配線は、金属あるいは金属化合物から成る第1の層30、及びアルミニウム-リチウム系合金から成る第2の層32から構成されている。アルミニウム-リチウム系合金から成る半導体装置用配線の形成方法は、(イ)アルミニウム層あるいはアルミニウム合金層を形成する工程と、(ロ)かかる層にリチウムイオンをイオン注入することによって、アルミニウム-リチウム系合金層を形成する工程、から成る。

請求項（抜粋）：

半導体装置に用いられる配線であって、金属あるいは金属化合物から成る第1の層、及びアルミニウム-リチウム系合金から成る第2の層から構成されていることを特徴とする半導体装置用配線。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/265 , H01L 29/784

FI (4件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/265 Z , H01L 21/88 N , H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-255623
特開平3-255623
特開平4-209572

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