特許

J-GLOBAL ID：200903058166112935

半導体装置における絶縁膜の形成方法

発明者： 富永 浩二 ,  安田 哲二 ,  生田目 俊秀 ,  岩本 邦彦
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  ローム株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-079279
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288884
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜中にその膜質を劣化させる不純物を可及的に存在させないようにすることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁膜4の厚みを0.3〜2nmの範囲に成膜する工程11と前記絶縁膜中の不純物を除去する工程12とを複数回繰り返すことによって、所定厚みの絶縁膜4とする。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

絶縁膜の厚みを0.3〜2nmの範囲に成膜する工程と前記絶縁膜中の不純物を除去する工程とを複数回繰り返すことによって、所定厚みの絶縁膜とすることを特徴とする半導体装置における絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/316 P ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617T ,  H01L27/04 C

Fターム (74件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF80 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN72 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AA19 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AB09 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE05 ,  5F140BE09 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BG37 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-385584   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-372915   出願人：株式会社日立国際電気
• 半導体装置の製造方法とその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197839   出願人：株式会社日立製作所