特許
J-GLOBAL ID：200903054734938821

薄膜形成方法

発明者：
平野 智之

平野 智之 について

, 
▲さい▼藤 正樹

▲さい▼藤 正樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385584
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188171
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 原子層蒸着法(ALD法)において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。【解決手段】 オゾンを含有する酸化性ガスによってシリコン基板を酸化する第1工程と、シリコン基板の酸化表面を水酸基化した後にトリメチルアルミニウム等の第1反応物を吸着させる第2工程と、H2O等の第2反応物を導入し、酸化表面上の第1反応物の残基と反応させることによって、SiO2等の酸化膜上にAl2O3等の高誘電率の薄膜を形成する第3工程とを含む薄膜形成方法。
請求項（抜粋）：
オゾンを含有する酸化性ガスによって基体を酸化する第1工程と、前記基体の酸化表面に第1反応物を吸着させる第2工程と、第2反応物を導入し、前記酸化表面上の前記第1反応物の残基と反応させる第3工程とを含む薄膜形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/04 C
Fターム (40件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA10 ,  4K030BA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BA46 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  5F038AC03 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BE03 ,  5F140AA39 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE13
引用特許：
審査官引用 (15件)
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