特許

J-GLOBAL ID：200903058167404727

半導体及びその絶縁膜または平坦化膜の形成方法

発明者： 南波 洋一 ,  松井 二三雄
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304785
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326202
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 膜質の均一性(脱ガス性、エッチング速度の安定性)に優れると共に、平坦化特性についても「完全平坦化」に限りなく近いレベルまで改善された層間絶縁膜等を使用しかつデバイスの信頼性等の性能評価試験での合格率を改善した半導体。【構成】 半導体の絶縁膜または平坦化膜として、一般式(1)で示される数平均分子量が500〜10,000であるポリオルガノシルセスキオキサン【化1】(式中、R1 ;メチル基、R2 は水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは分子量に対応する正の数である。)を硬化した膜を使用した半導体。

請求項（抜粋）：

半導体の絶縁膜または平坦化膜として、一般式(1)で示される数平均分子量が500〜10,000であるポリオルガノシルセスキオキサン【化1】(式中、R1 ;メチル基、R2 は水素原子および炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは分子量に対応する正の数である。)を硬化した膜を使用したことを特徴とする半導体。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  C07F 7/02 ,  C09D183/04 PMS ,  H01B 3/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体用絶縁膜等及びそれらの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235388   出願人：昭和電工株式会社
• 特開昭57-059672
  
• 特開昭61-292342
  
• 特開平1-221384