特許

J-GLOBAL ID：200903058186115043

プラズマシリコンナイトライド膜の形成方法

発明者： 林田 朋幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197026
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029836
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 Siを含んだガス(例えばSiH4 )とNを含んだガス(例えばNH3 +N2 )を供給しながらプラズマ照射することによりSiN膜を形成するP-SiN膜の形成方法において、下地との密着性が高く剥れにくいP-SiN膜を形成できるようにする。【構成】 プラズマ照射しながら先ずNを含んだガスのみを供給してNリッチなSiN膜7を形成し、その後、Siを含んだガスも供給してSiN膜8の形成を続ける。

請求項（抜粋）：

シリコンを含んだガスと窒素を含んだガスを供給しながらプラズマ照射することによりシリコンナイトライド膜を形成するプラズマシリコンナイトライド膜の形成方法において、プラズマ照射しながら先ず窒素を含んだガスのみを供給して窒素リッチなシリコンナイトライド膜を形成し、その後、シリコンを含んだガスも供給してシリコンナイトライド膜の形成を続けることを特徴とするプラズマシリコンナイトライド膜の形成方法

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-120822
  
• 特開平4-123424
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-271150   出願人：セイコーエプソン株式会社