特許
J-GLOBAL ID:200903058192380891

高周波誘導装置のサセプタホルダ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 桑井 清一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-194935
公開番号(公開出願番号):特開平6-020969
出願日: 1992年06月29日
公開日(公表日): 1994年01月28日
要約:
【要約】【目的】 高温度でも破損等することなく安定して使用することができるサセプタホルダを得る。【構成】 サセプタホルダ13の内側壁とサセプタ15の基部15Aの外側面との間に円筒状の側壁材141を介装する。また、サセプタホルダ13の底壁と基部15Aの底面との間に円板状の底壁材142を介装する。この側壁材141は、その厚さ方向に2つの部分141A、141Bに分割している。底壁材142も、同様にその厚さ方向に6つの部分142A〜142Fに分割している。これらの側壁材141と底壁材142はいずれもアルミナ製であって石英製のサセプタホルダ13とグラファイト製のサセプタ15との間に介在して、断熱効果を高めている。
請求項(抜粋):
凹部を有し、この凹部内にサセプタを保持するサセプタホルダにおいて、上記凹部内壁とサセプタとの間に断熱材を介在させたことを特徴とする高周波誘導装置のサセプタホルダ。
IPC (2件):
H01L 21/205 ,  H01L 21/68
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 化合物半導体結晶気相成長装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-177774   出願人:古河電気工業株式会社
  • 特開昭63-119535
  • 特開昭64-005012
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