特許
J-GLOBAL ID:200903058208023946
半導体集積回路装置およびデータ・信号伝送システム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-282564
公開番号(公開出願番号):特開2001-156621
出願日: 2000年09月18日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】 伝送データとして電流量を取り扱い、電流データの多値化を行うことによってバス幅の増大を伴うことなく、大量のデータ伝送を可能とする。【解決手段】 半導体集積回路は、入力回路、内部回路、および出力回路を有する。入力回路は、外部から入力される多値電流データを、2値電圧レベルのデータの集合体DIB0〜DIB7に変換するADC19を有し、内部回路18は、ADC19から上記集合体DIB0〜DIB7を受けるとともに、2値電圧レベルのデータの集合体DOB0〜DOB7を出力する。出力回路は、内部回路18から出力された上記集合体DOB0〜DOB7を多値電流データに変換して外部に出力するDAC14を有する。
請求項(抜粋):
外部から入力する多値化されている電流データを、2値電圧レベルのデータの集合体に変換するADコンバータを有するデータ入力回路と、前記データ入力回路から2値電圧レベルのデータが供給される内部回路とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (6件):
H03K 19/20 101
, G06F 3/00
, G11C 11/407
, G11C 11/401
, H03K 19/0175
, H03K 19/096
FI (6件):
H03K 19/20 101
, G06F 3/00 H
, H03K 19/096 A
, G11C 11/34 362 S
, G11C 11/34 362 Z
, H03K 19/00 101 S
引用特許:
審査官引用 (5件)
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メモリシステム
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-256304
出願人:ヒューレット・パッカード・カンパニー
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特開昭64-014631
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特開昭64-014631
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