特許

J-GLOBAL ID：200903058208884259

SOI基板およびその製造方法

発明者： 濱嶋 智宏 ,  新井 謙一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-176646
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153603
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、フォトリソグラフィの際にSOI基板とフォトマスクの目合わせを行うときに、赤外線透過光を用いなくても、可視光による目合わせ装置の利用できる高精度な目合わせ方法と、それを実現するSOI基板構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1のシリコン基板と第2のシリコン基板を接合した後に、第2のシリコン基板の接合していない主表面を研削、研磨加工して形成されるSOI基板において、前記シリコン基板の一方は、表面に露出した目合わせ用パターンを有していることを特徴とするSOI基板。

請求項（抜粋）：

第1のシリコン基板と第2のシリコン基板を接合した後に、第2のシリコン基板の接合していない主表面を研削、研磨加工して形成されるSOI基板において、前記シリコン基板の一方は、表面に露出した目合わせ用パターンを有していることを特徴とするSOI基板。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-343055   出願人：関西日本電気株式会社