特許
J-GLOBAL ID：200903058215615891
半導体装置用リ-ドフレ-ム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
勝部 明長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104594
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275182
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 この発明はワイヤ-ボンディング性、半田濡れ性が熱処理工程によって劣化しない耐熱性のあるリードフレームを提供する。【解決手段】 図1においてリ-ドフレ-ム素材1上にNi又はNi合金の第一中間層2を有するリードフレームであって、第一中間層2の上に形成されるAgめっき層或はAg合金めっき層の第二中間層3と、更に前記第二中間層の上に形成されるPd或はPd合金めっき層の最上層4を備えている半導体装置用リ-ドフレ-ムである。
請求項（抜粋）：
リードフレーム素材上にNi又はNi合金の第一中間層を有するリードフレームにおいて、前記第一中間層の上に形成されるAgめっき層或はAg合金めっき層の第二中間層と、更に第二中間層の上に形成されるPd或はPd合金めっき層の最上層とを包含することを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/50 V
, H01L 23/50 D
, H01L 23/48 V
