特許

J-GLOBAL ID：200903058229468808

重ね合わせ精度測定用マーク及びそれを用いた測定方法

発明者： 峯 清勝 ,  南 章行 ,  町田 哲志 ,  田口 隆
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 小岩井 雅行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-123401
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317340
出願日： 1998年05月06日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 重ね合わせ精度測定用マークの構造や膜厚、組み合わせ及び測定方法等に工夫を凝らすことで、高精度の測定を可能にし、生産性の向上、高集積化等を図ること。【解決手段】 半導体集積回路製造のためのフォトリソグラフィー工程で露光の際に利用する下層との重ね合わせ精度測定用マークであって、下層に形成した基準マーク101と、その基準マークよりも上層の領域に形成したレジストパターンマーク103とを含み、レジストパターンマークをラインパターンとした。基準マークは、平面正方形のポジ型パターン、ネガ型パターン及びスリットパターンの何れかである構成とする。レジストパターンマークを複数のラインパターンとすることもできる。その場合、複数のラインパターンのそれぞれの膜厚を異ならせた構成とする。また、ラインパターンを形成する下地基板102の表面に段差を設けて各ラインパターンの膜厚を異ならせる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路製造のためのフォトリソグラフィー工程で露光の際に利用する下層との重ね合わせ精度測定用マークであって、下層に形成した基準マークと、その基準マークよりも上層の領域に形成したレジストパターンマークとを含み、レジストパターンマークをラインパターンとしたことを特徴とする、重ね合わせ精度測定用マーク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (3件)：

H01L 21/30 502 M ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 重ね合わせ精度測定パターン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-170130   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-177923
  
• 特開平3-060008