特許
J-GLOBAL ID：200903058248995290
DH構造半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167732
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017219
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】DH構造の半導体発光素子において、pタイプ半導体閉じ込め層とヘテロ界面における再結合によって劣化が発生する。この劣化モードの効果を最小限に抑え、動作時における効率を維持し信頼性の向上した半導体発光素子を提供する。【解決手段】この劣化モードは、pタイプの層だけにしか発生せず、組成の異なる2つのpタイプ半導体層の界面に近い領域に集中する場合が多いということが明らかになった。本願発明では、完全にnタイプであるDH構造に近接して独立した正孔注入層を利用することによって、この問題を解決する。
請求項（抜粋）：
以下(a)から(c)を含むことを特徴とする半導体発光素子、(a)基板、(b)以下(イ)及び(ロ)を有する前記基板上に配置される二重ヘテロ構造、(イ)第1及び第2のnタイプ閉じ込め層、(ロ)前記第1及び第2の閉じ込め層の間に介在する、少なくとも1つの層を含むnタイプ活性領域を有し、(c)前記第2の閉じ込め層に近接して配置されたpタイプの正孔注入層が含まれている。
引用特許：
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