窒化ガリウム化合物半導体の製造方法

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出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-330311
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096122
出願日： 2003年09月22日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【目的】電子濃度を制御したN型のGaN 系の化合物半導体を得ることで、発光素子の発光効率を改善する。【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上に順に、膜厚約2.2 μm, シリコンドープされた電子濃度1.5 ×1018/cm3のGaN の高キャリア濃度N+ 層3、膜厚約1.5 μm, 電子濃度 1×1015/cm3以下のGaN の低キャリア濃度N層4、膜厚約0.2 μmのGaN から成るI層5が形成されている。I層5と高キャリア濃度N+ 層3には、それぞれに接続する、アルミニウムで形成された電極7と電極8とが形成されている。高キャリア濃度N+ 層3の抵抗率(=1/導電率)は、3 ×10-1Ωcmから 8×10-3Ωcmまで変化させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム化合物半導体(GaN) の製造方法であって、基板上に前記窒化ガリウム化合物半導体(GaN) の成長温度よりも低温でバッファ層を形成し、バッファ層の形成された基板を用いて、有機金属化合物気相成長法によりシリコンを添加しない場合に高抵抗率となる状態で、シリコンを含むガスを他の原料ガスと同時に流すことにより気相成長させる過程において、前記シリコンを含むガスと前記他の原料ガスとの混合比率を制御することによりシリコンをドナーとして添加して導電率の制御されたN型の窒化ガリウム化合物半導体(GaN) の気相成長膜を得ることを特徴とする窒化ガリウム化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00 C

Fターム (22件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F041CA40 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AF09 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DA57 , 5F045DA66 , 5F045EE12

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭62-119196 号公報
特開昭63-188977 号公報

審査官引用 (2件)

特開平3-252175
特開昭59-228776

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