特許

J-GLOBAL ID：200903058302024000

セラミック基板の製造方法

発明者： 田島 健一 ,  丸山 博 ,  南上 英博 ,  木村 哲也
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282082
公開番号（公開出願番号）：特開平9-124382
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：

【要約】【課題】従来、セラミックスやメタライズ層の特性を劣化させることなく、従来の焼成温度よりも低温且つ短時間で焼成する方法がなかった。【解決手段】アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ムライト、ガラスセラミックスなどのセラミック成形体の表面に、W、Mo、Ni、Cu、Pt等の金属を含むメタライズペーストを塗布した後、該成形体にマイクロ波等の高周波を照射して加熱して成形体とメタライズとを同時に焼成する。

請求項（抜粋）：

セラミック成形体の表面にメタライズペーストを塗布した後、該成形体に高周波を照射して加熱して前記成形体とメタライズとを同時に焼成することを特徴とするセラミック基板の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 41/88 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/12

FI (3件)：

C04B 41/88 C ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/12 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層セラミック電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-052406   出願人：株式会社東芝
• 特開2051-035480