特許
J-GLOBAL ID：200903058306327465
磁気センサのオフセット調整方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
碓氷 裕彦
, 加藤 大登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233102
公開番号（公開出願番号）：特開2004-069655
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】新規な方法にて、磁性体等の磁気発生源によるセンサ出力のオフセットを調整することができる磁気センサを提供すること。【解決手段】仮配置した際に、MR素子3,4に印加される理想的な磁気ベクトルBが、磁性体等の磁気発生源によって磁気ベクトルB1のようにずれていた場合、オフセット特性検出工程にて、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を検出する方法と同様の方法を用いて、この磁気ベクトルB1と理想的な磁気ベクトルBとの差分B2を検出する。そして、磁気センサを配置位置から一旦移動させた後に、オフセット特性調整工程にて、移動させた磁気センサ若しくは別の磁気センサの磁気ベクトルBを差分B2だけずらしておき、磁気センサを所定の配置位置に再び配置する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に磁気抵抗素子を配置するとともに当該基板の後方にバイアス磁石を配置し、前記バイアス磁石によるバイアス磁界内に前記磁気抵抗素子を位置させ、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を前記磁気抵抗素子にて検出するようにした磁気センサのオフセット調整方法において、
予め前記磁気センサを所定の配置位置に配置し、前記被検出対象以外の磁気発生源によって前記磁気抵抗素子に発生するオフセット特性の誤差を検出しておき、この検出した誤差分だけ前記磁気抵抗素子のオフセット特性をずらして前記磁気センサを前記配置位置に再び配置することで、前記磁気抵抗素子に対するオフセット特性を補正するようにしたことを特徴とする磁気センサのオフセット調整方法。
IPC (5件)：
G01D5/245
, G01P3/488
, G01P21/02
, G01R33/09
, H01L43/08
G01D5/245 R
, G01P3/488 D
, G01P21/02
, H01L43/08 A
, H01L43/08 U
, G01R33/06 R
2F077AA11
, 2F077NN03
, 2F077NN21
, 2F077PP14
, 2F077UU09
, 2G017AA01
, 2G017AB09
, 2G017AC09
, 2G017AD54
, 2G017AD63
, 2G017AD65
審査官引用 (2件)
-
磁気センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-146839
出願人：株式会社デンソー
-
磁気センサー
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-015014
出願人：株式会社生方製作所
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