特許

J-GLOBAL ID：200903058317191247

薄膜太陽電池

発明者： 古茂田 学 ,  新楽 浩一郎 ,  白間 英樹
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244035
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068709
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 裏電極を露出させるためのプロセスが煩雑であり、また耐熱性が悪いという問題があった。【解決手段】 基板上に金属膜もしくはそのシリサイド膜から成る裏電極、導電型の異なる複数の半導体層、および表電極を順次積層して設けた薄膜太陽電池において、前記裏電極の表面部にTiN膜を形成した。

請求項（抜粋）：

基板上に金属膜もしくはそのシリサイド膜から成る裏電極、導電型の異なる複数の半導体層、および表電極を順次積層して形成した薄膜太陽電池において、前記裏電極の表面部にTiN膜を形成したことを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 21/28 301 R

Fターム (34件)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD09 ,  4M104DD15 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104FF18 ,  4M104GG05 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA18 ,  5F051FA23

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開昭63-017566
  
• 特開平2-005575
  
• 特開昭52-030392
  
• 基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-312243   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開昭63-078581
  
• 特開昭52-030392
  
• 特開平1-311511