特許

J-GLOBAL ID：200903065763072525

基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池

発明者： フォルカー プロブスト ,  イエルク リマシュ ,  ハウケ ハルムス
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312243
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222750
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【課題】 カルコパイライト吸収層(4,5)を有する太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 製造過程でNa,K及びLiから選択される元素又は該元素の化合物をドーピング添加することにより、完成した吸収層内に所望のアルカリ金属含量を得る。場合によるアルカリ金属含有基板(1)からのアルカリ金属イオンの付加的拡散侵入は、基板と吸収層の間に拡散遮断層(2)を設けることにより阻止する。

請求項（抜粋）：

基板(1,7,8)上に、背面電極(3,6)、カルコパイライト吸収層(4,5)及び前面電極を有する太陽電池を製造する方法において、吸収層(4,5)の製造前又は製造中にNa,K及びLiから選択される元素又は該元素の化合物をドーピングにより添加し、かつ製造工程中の吸収層内への基板からアルカリ金属イオンの付加的拡散を、拡散遮断層(2,6,9,10a)を基板と吸収層の間に配置するか又はアルカリ金属不含の基板(7)を使用することにより阻止し、それにより完成した吸収層内における前記元素の所望のかつドーピングにより決まる濃度を調整することを特徴とする、基板上に太陽電池を製造する方法。

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電子素子部材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-275761   出願人：株式会社日鉱共石
• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-236333   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (2件)

• 電子素子部材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-275761   出願人：株式会社日鉱共石
• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-236333   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• The Effect of Substrate Impurities on the Electronic Conductivity in CIS Thin Films

審査官引用 (1件)

• The Effect of Substrate Impurities on the Electronic Conductivity in CIS Thin Films