特許

J-GLOBAL ID：200903058336065244

半導体光変調器とこれを用いた光通信装置

発明者： 石坂 政茂
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249527
公開番号（公開出願番号）：特開平10-096879
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 高速長距離光通信システムに用いられる半導体光変調器のうち、電界吸収型光変調器では、チャーピングを抑制するために予め一定バイアスを印加すると、光ON時での出射パワーの減少と消光比の劣化が生じる。【解決手段】 半導体基板101上に少なくとも半導体バッファ層102、半導体吸収層104、半導体クラッド層103,105が順次積層され、吸収層104の一端より入射された光波の吸収を吸収層に印加した電界強度を変える事により変化させる電界吸収型変調器において、吸収層に印加する電界強度を増加させた時に、入射光に対する吸収層の屈折率が減少しかつ吸収係数が増加するように、吸収層の積層方向に沿って吸収端波長が短い第1の吸収層201と、これよりも吸収単波長が長い第2の吸収層202とを積層した構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも半導体バッファ層、半導体吸収層、半導体クラッド層が順次積層された層構造を有し、前記吸収層の一端より入射された光波の吸収を前記吸収層に印加した電界強度を変える事により変化させる電界吸収型変調器であって、前記吸収層に印加する電界強度を増加させた時に、前記入射光に対する前記吸収層の屈折率が減少しかつ吸収係数が増加するように、前記吸収層の積層方向に沿って一部の吸収端波長を他の吸収端波長に比べて短く設定した事を特徴とする半導体光変調器。

IPC (4件)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/42 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02

FI (3件)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/42 ,  H04B 9/00 W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-332851   出願人：富士通株式会社
• 半導体光変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-020876   出願人：株式会社日立製作所