薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169388
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037308
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】水素ガス中熱処理でのシリコン窒化膜などの表面におけるクラックの発生を防止する。【構成】石英基板1の上に多結晶シリコン膜2を形成し、イオン注入によりドレイン領域5とソース領域6を形成し、全面に被覆した層間絶縁膜7にコンタクト穴8を設け、さらに全面に形成した導電膜をエッチングして電極配線9を形成した後、内部応力として2.0×109〜5.0×109の範囲内の圧縮応力を備えるようにシリコン窒化膜を形成し、水素ガス中で400°C〜500°Cの範囲内の温度で熱処理する。【効果】熱処理による過大な引っ張り応力に起因するシリコン窒化膜のクラック発生が阻止され、信頼性が向上するとともに、薄膜トランジスタの特性を効果的に回復することができる。

請求項（抜粋）：

石英基板等の透明絶縁基板上に多結晶シリコン膜を形成した後薄膜トランジスタ形成領域となる多結晶シリコン膜を選択的に残す工程と、ゲート酸化膜および多結晶シリコン膜からなるゲート電極を形成する工程と、イオン注入によって薄膜トランジスタのドレイン領域およびソース領域を形成する工程と、全面にシリコン酸化膜などの層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記ドレイン領域およびソース領域に達するコンタクト孔を形成する工程と、全面にアルミニウムを主成分とする導電膜を形成した後選択的にエッチングして電極配線を形成する工程と、前記電極配線を含み薄膜トランジスタ構成部を保護するためのシリコン窒化膜をその内部応力が2.0×109〜5.0×109の範囲内の圧縮応力を備えるようにプラズマCVD装置により形成した後、400〜500°Cの範囲内の温度の水素ガス中で熱処理する工程とからなる薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/265 , H01L 21/318 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 N , H01L 21/265 P , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭63-132433
特開昭63-000165

審査官引用 (2件)

特開昭63-000165
特開昭63-132433

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