特許

J-GLOBAL ID：200903058345877090

半導体結晶成長方法

発明者： 角田 篤勇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-200466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045857
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 GaAs層またはGaInP層上にMBE法によりGaAs、AlGaAs、GaInP、AlGaInPまたはAlInP結晶を成長させる前に、良好な結晶成長面を得る。【解決手段】 GaAs層10またはGaInP層9を、表面から厚み方向に100オングストローム以上エッチング除去する。また、GaAs層10の表面にAsビームまたはPビームを照射しながら基板温度620°C以上700°C以下で5分以上保持する。GaInP層9の表面にAsビームまたはPビームを照射しながら基板温度500°C以上550°C以下で5分以上保持する。表面が一度大気に曝されて変成層、酸化膜およびコンタミネイション等が生じていても、それらが除去される。

請求項（抜粋）：

化合物半導体層からなる発光部上に設けられているGaAs層またはGaInP層上に、Molecular Beam Epitaxy法によりGaAs、AlGaAs、GaInP、AlGaInPまたはAlInPからなる結晶を成長する方法であって、該GaAs層または該GaInP層を表面から厚み方向に100オングストローム以上エッチング除去する工程と、該GaAs層または該GaInP層のエッチング除去後の表面の上に、GaAs、AlGaAs、GaInP、AlGaInPまたはAlInPからなる結晶を成長させる工程とを含む半導体結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭58-125819
  
• 特開昭61-225817
  
• AlGaAs膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-308111   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-125819
  
• 特開昭61-225817
  
• AlGaAs膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-308111   出願人：日本電気株式会社