特許

J-GLOBAL ID：200903058348231433

錫めっき皮膜及びそれを備えた電子部品並びにその製造方法

発明者： 田中 久裕 ,  緒形 茂樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-257232
公開番号（公開出願番号）：特開2006-070340
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】本発明は、ウイスカ成長を効果的に抑制することができる錫めっき皮膜及びそれを備えた電子部品並びにその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の錫めっき皮膜は、金属基材上に形成された錫めっき皮膜であって、錫めっき皮膜の結晶配向面が(220)面に優先配向し、且つ錫めっき皮膜形成後の皮膜応力が-7.2MPa以上0MPa以下であり、その電子部品は、該錫めっき皮膜を有する構成とした。また、本発明の錫めっき皮膜の製造方法は、銅基材上に錫めっき皮膜を形成する錫めっき皮膜の製造方法であって、錫めっき皮膜の結晶配向面を(220)面に優先配向させると共に、錫めっき皮膜形成後の皮膜応力を-7.2MPa以上0MPa以下とする構成とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属基材上に形成された錫めっき皮膜であって、前記錫めっき皮膜の結晶配向面が(220)面に優先配向し、且つ錫めっき皮膜形成後の皮膜応力が-7.2MPa以上0MPa以下であることを特徴とする錫めっき皮膜。

IPC (4件)：

C25D 5/50 ,  C25D 3/30 ,  C25D 7/00 ,  C25D 7/12

FI (4件)：

C25D5/50 ,  C25D3/30 ,  C25D7/00 G ,  C25D7/12

Fターム (17件)：

4K023AA04 ,  4K023AA17 ,  4K023BA29 ,  4K023CB07 ,  4K023DA02 ,  4K023DA06 ,  4K023DA07 ,  4K024AA07 ,  4K024BA09 ,  4K024BB11 ,  4K024BB13 ,  4K024BC01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024CA10 ,  4K024DA06 ,  4K024DB02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• スズまたはスズ合金を金属基板に電気メッキする方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-240387   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

審査官引用 (1件)

• 電子・電気部品用銅合金材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-069547   出願人：株式会社神戸製鋼所