洗浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000905
公開番号（公開出願番号）：特開平8-187474
出願日： 1995年01月06日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は、洗浄工程を簡略化して薬液及び超純水の使用量を削減するとともに、洗浄効果のきわめて優れ且つ半導体基板に損傷を与えない洗浄方法を提供することを目的とする。【構成】オゾンを含む超純水により、基体に付着した有機物、金属、微粒子を除去する第1工程と、洗浄槽内でフッ化水素酸を含む超純水からなる薬液にメガソニックを照射して、基体に付着した金属及び微粒子を除去する第2工程と、該第2工程の薬液を除去する第3工程と、洗浄槽内で超純水にメガソニックを照射して基体を洗浄する第4工程とを備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

オゾンを含む超純水により、基体に付着した有機物、金属、微粒子を除去する第1工程と、洗浄槽内でフッ化水素酸を含む超純水からなる薬液にメガソニックを照射して、基体に付着した金属及び微粒子を除去する第2工程と、該第2工程の薬液を除去する第3工程と、洗浄槽内で超純水にメガソニックを照射して基体を洗浄する第4工程とを備えることを特徴とする洗浄方法。

IPC (3件)：

B08B 3/08 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

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